25. Простое устройство c мс CAT28C16A

[VVZ]

25. Простое устройство с мс CAT28C16A.

Краткий порядок темы :

1. Описание устройства.
2. Варианты сборки на макетке.
3. Описание электрической схемы.
4. Запись данных по диаграммам и таблицам из описания микросхемы.

=====================

1. Описание устройства :

Микросхема CAT28C16A (28C16,AT28C16 и так далее) является 8-ми разрядной памятью EEPROM c напряжением питания 5 вольт. Объём памяти 16 кБит. Число циклов перепрограммирования 10000-100000 (зависит от производителя). Основное назначение микросхем памяти – это хранение информации. На базе этой микросхемы можно создавать разные устройства, в том числе без использования микроконтроллеров (“бегущие огни”, информационные табло). Например, при создании разных светодинамических устройств их светодинамические “рисунки” просто извлекаются из памяти микросхем, а не являются проработкой иногда не простых схемных решений на логических микросхемах. Данное устройство может быть полезно для просмотра данных записанных в микросхему памяти (мс D3), а также для перезаписи из одной микросхемы в другую (из мс D3 в D4).



D1 – К155ЛА3; D2 – КР1561ИЕ20; D3,D4 – CAT28C16A; R1, R4, R6 -10 кОм, R3 – 470 Ом; R2, R5 – 1 кОм; C1 – 4,7 мкФ или 470,0 мкФ (для медленного просмотра данных).

2. Варианты сборки на макетке :



Вариант сборки с панельками для микросхем :

[VVZ]

3. Описание электрической схемы :

Схема состоит из тактового генератора на двух элементах мс К155ЛА3 (D1), адресного счётчика на мс КР1561ИЕ20 (D2 - двоичный, двенадцатиразрядный счётчик), шкального индикатора VD4 для контроля состояния данных микросхем памяти EEPROM CAT28C16A (D3, D4). Микросхема D3 сразу включена на чтение данных (WE=1; OE=0; CE=0), а мс D4 – на запись (OE=1; CE=0; WE - отрицательный импульс). Сигнал записи WE (отрицательный импульс) формируется из младшего разряда Q1 счётчика и двух элементов мс D1 (см. временную диаграмму). Светодиод VD3 показывает отрицательные импульсы записи. По состоянию светодиода VD2 можно установить окончание процесса записи.



Перезапись данных из мс D3 в мс D4 происходит при нажатии и удержании кнопки KW, на индикаторе VD4 будут отображаться записываемые данные. Если перезаписывать микросхемы не требуется, то устанавливать мс D4 не надо. Тогда при нажатии и удержании кнопки KW можно просмотреть состояния данных мс D3 в порядке возрастания адреса на её входах A0-A10, при этом, величину конденсатора C1 следует увеличить до 470,0 мкФ.



В следующей таблице обратите внимание на первые две строчки - режимы чтения байта, режим записи байта и состояния входов CE, WE, OE.



CE – Chip Enable; WE – Write Enable; OE – Output Enable;

L – low – низкий уровень сигнала, H – higt – высокий уровень сигнала.

[VVZ]

4. Запись данных по диаграммам и таблицам из описания микросхемы.

На временной диаграмме и таблице, взятых из описания микросхемы памяти, обратите внимание на время периода следования импульсов записи - twc и время длительности импульса записи twp (в схеме используются мс CAT28C16A-20).

twc – период следования импульсов записи. В таблице указана максимальная величина периода - 10 мс. Это время, которое гарантирует запись данных в микросхему данного производителя, при этом, оно может быть и меньше.

twp – длительность сигнала записи, в таблице указано его минимальное значение 150 нс.



Перед началом записи надо установить адрес на входах A0-A10 микросхемы памяти, по отрицательному перепаду сигнала на входе WE происходит фиксация адреса в микросхеме памяти, а по положительному фронту начинается запись данных.



Учитывая величины RC тактового генератора, его период T = 2RC – 2x470x0.0000047 – около 5 мс. Значит, период Тa смены адреса будет около 10 мс.